Производитель Номер продукта:
TSM110NB04DCR RLG
Product Overview
Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Номер детали:
TSM110NB04DCR RLG-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 40V 10A/48A 8DFN
Подробное описание:
Mosfet Array 40V 10A (Ta), 48A (Tc) 2W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Инвентаризация:
14882 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12921951
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TSM110NB04DCR RLG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Taiwan Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
11mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1506pF @ 20V
Мощность - Макс
2W (Ta), 48W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 155°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Комплект устройства поставщика
8-PDFN (5x6)
Базовый номер продукта
TSM110
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
1801-TSM110NB04DCRRLGTR
1801-TSM110NB04DCRTR-DG
1801-TSM110NB04DCRCT-DG
1801-TSM110NB04DCRDKR-DG
1801-TSM110NB04DCRRLGCT
1801-TSM110NB04DCRRLGDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NVMFD5C466NLT1G
MOSFET 2N-CH 40V 14A/52A 8DFN
NTE4007
MOSFET 3N/3P-CH
FW344A-TL-2W
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
